透明导电氧化物薄膜(TCO)由于其优异的性能，成为科研和工业上的重点研究课题。但是，本征TCO材料性能的单一性已经成为了限制其扩展应用的主要问题，因此急需寻求新的替代材料。目前，掺杂改性是扩展本征材料性能的主要手段之一。本文对In2O3和ZnO基半导体氧化物的掺杂改性开展系列理论研究工作，研究内容主要包括三方面：如何通过调整本征缺陷的含量进一步提高ZnO的光学和催化性能；对ZnO进行掺杂改性，研究Cd、Mg、Ca、Y等元素掺杂对体系电子结构和光学性质的影响；研究如何进一步提高In2O3的光电特性。本文以理论研究为主，并针对掺杂和碳化ZnO进行必要的实验研究。
